• Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)

    Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。

    更新时间:2024-12-06
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  • 850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管(不带TEC)

    850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管(不带TEC) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管

    更新时间:2024-12-06
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  • 2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列

    2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

    更新时间:2024-12-06
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  • 2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列

    2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列 PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。

    更新时间:2024-12-06
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  • InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

    InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求

    更新时间:2024-12-06
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